SI4062DY-T1-GE3_Vishay_威世_SOIC8_150MIL_MOSFETs

Name: SI4062DY-T1-GE3_Vishay_威世_SOIC8_150MIL_MOSFETs
Brand: Vishay

SI4062DY-T1-GE3 型号参数

SI4062DY-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 3D打印机、智能手表、频谱分析仪、电子琴、洗衣机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如逻辑分析仪、安防摄像头、 X光机、录像机、固态硬盘、数码相机、电子搅拌器、射频连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFB20N50KPBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
IRF840BPBF	通孔 N 通道 500 V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
SI4425DDY-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL
IRFL014TRPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI7145DP-T1-GE3	MOSFETs P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
SUM85N15-19-E3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=19mΩ@10V TO263
IRF830PBF	MOSFETs VDS=500V RDS=1.5Ω@10V ID=4.5A P=74W

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