2N7002-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: 2N7002-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

2N7002-T1-GE3 型号参数

2N7002-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如逆变器、单片机、音频功率放大器、智能手环、 GPS定位器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如显卡、电子体温计探头、智能照明系统、 CT扫描仪、空调、智能音箱、热水器、电子厨房计时器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL
SIZ342DT-T1-GE3	MOSFETDLN-CH30VPOWERPAIR3X3
SI2309CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SI7619DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
SI2365EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V

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