SI7619DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

Name: SI7619DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7619DN-T1-GE3 型号参数

SI7619DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如录像机、无线网卡、电子灭蚊灯、电子净水器、电子血压计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如逻辑分析仪、射频连接器、游戏机、智能手机、触摸屏、电饭煲、门禁系统、微波炉等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SQ2309ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
IRFP460PBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247AC
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SIB441EDK-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=8.3A RDS(ON)=25.5mΩ@4.5V
SI7450DP-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=200V ID=3.2A PowerPAK® SO-8
IRFP27N60KPBF	通孔 N 通道 600 V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3

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