SI2365EDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2365EDS-T1-GE3 型号参数

SI2365EDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如光纤连接器、扫描仪、电磁炉、 USB闪存盘、音频信号处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
IRF9640STRLPBF	表面贴装型 P 通道 200 V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263）
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SIR876ADP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
IRF740PBF	通孔 N 通道 400 V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
IRFR430ATRPBF	表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
IRFP27N60KPBF	通孔 N 通道 600 V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
IRFP450PBF	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=400mΩ@10V TO247AC
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB

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