SIR876ADP-T1-GE3_Vishay_威世_POWERPAK-SO8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SIR876ADP-T1-GE3_Vishay_威世_POWERPAK-SO8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIR876ADP-T1-GE3 型号参数

SIR876ADP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如气体报警器、可编程逻辑控制器（PLC）、扬声器、电子白板、烟雾报警器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、烤箱、智能手环、电子白板、电子咖啡机、 LED显示器、电子广告牌、心电图仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SUM110P06-08L-E3	表面贴装型 P 通道 60 V 110A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D²Pak）
IRF820PBF	通孔 N 通道 500 V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263
IRF9640PBF	通孔 P 通道 200 V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SIA931DJ-T1-GE3	MOSFET PowerPAK SC70-6 Dual P-Channel ID=4.5A
SI7148DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=28A RDS(ON)=11mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI7613DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SIHG30N60E-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP

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