SSM3J56MFV_L3F(T_Toshiba_东芝_SOT-723-3_MOSFETs

Name: SSM3J56MFV_L3F(T_Toshiba_东芝_SOT-723-3_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3J56MFV,L3F(T 型号参数

SSM3J56MFV,L3F(T是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动工具、电子温度计、打印机、电子白板、电子血压手环，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如视频线材、智能插座、笔记本电脑、电子词典、门禁系统、 DVD播放器、移动硬盘、 RFID读写器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K123TU,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
TPHR9003NL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F

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