SSM3J56MFV_L3F(T_Toshiba_东芝_SOT-723-3_MOSFETs

Name: SSM3J56MFV_L3F(T_Toshiba_东芝_SOT-723-3_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3J56MFV,L3F(T 型号参数

SSM3J56MFV,L3F(T是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如频谱分析仪、实验室离心机、电子体重秤、汽车、 LCD显示屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子罗盘、智能手表、扫描仪、电子广告牌、功放设备、整流器、音频信号处理器、电子助听器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F
TK100E08N1,S1X(S	MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA

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