SSM6N35FE,LM是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 功放设备、 智能音箱、 智能照明系统、 路由器、 功放器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SSM6N35FE,LM
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电动工具、 示波器、 音响设备、 智能门锁、 安防监控系统、 电动自行车控制器、 电子脱毛器、 门禁系统 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SSM3K35AMFV,L3F | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA |
| TK100E08N1,S1X(S | MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220 |
| TPH2R506PL,L1Q | • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers |
| SSM3K123TU,LF | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3 |
| TPHR9003NL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8 |
| SSM3J356R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA |
| SSM3K35MFV(TPL3) | High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications |
| SSM6N56FE,LM | VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS |
| 2SK3569 | MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F |
| TPH2R608NH,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8 |
