TK100E08N1,S1X(S是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子血压计袖带、 扬声器、 电子游戏机手柄、 RFID读写器、 电子厨房计时器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：TK100E08N1,S1X(S
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电视机、 直流电源、 电子气压计、 移动硬盘、 智能照明系统、 蓝牙音箱、 烟雾报警器、 电子胎心监测仪 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SSM3K324R,LF(T | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F |
| SSM3K123TU,LF | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3 |
| SSM3J356R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA |
| SSM3J332R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA |
| SSM3K37MFV,L3F | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| 2SK3878 | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65 |
| SSM3K37FS,LF | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3J332R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
| SSM6N35FE,LM | High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications |
| TPH2R506PL,L1Q | • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers |
