SSM3K37MFV_L3F_Toshiba_东芝_SOT-723-3_MOSFETs

SSM3K37MFV,L3F 型号参数

SSM3K37MFV,L3F是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摩托车、电饭煲、 GPS定位器、智能家居控制系统、网络适配器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：SSM3K37MFV,L3F
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA

MOSFETs可应用场景，如空调、电子体重秤、烟雾报警器、电子驱蚊器、触摸屏、智能门锁、投影仪、显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA

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