SSM3K37MFV_L3F_Toshiba_东芝_SOT-723-3_MOSFETs

SSM3K37MFV,L3F 型号参数

SSM3K37MFV,L3F是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门锁、电子湿度计、模拟信号处理器（ASP）、电子驱蚊器、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：SSM3K37MFV,L3F
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA

MOSFETs可应用场景，如电饭煲、电子胎心监测仪、无人机、直流电源、电子手表、热水器、遥控器、电视机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
2SK3476(TE12L,Q	MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP

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