SSM3J46CTB(TPL3)是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子罗盘、 电子计算器、 烟雾报警器、 台式电脑主机、 交换机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SSM3J46CTB(TPL3)
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子门禁卡、 实验室离心机、 OLED显示屏、 冰箱、 3D打印机、 电子翻译器、 信号发生器、 电动自行车 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SSM3K35MFV(TPL3) | High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications |
| SSM3K15AFS,LF | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA |
| T2N7002AK,LM | MOSFET N-CH 60V 0.2A |
| 2SK3476(TE12L,Q | MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A |
| TPH2R608NH,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8 |
| SSM6N35FE,LM | High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications |
| SSM3J356R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA |
| SSM3J332R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA |
| SSM3J332R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
| SSM6N56FE,LM | VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS |
