2SK3476(TE12L,Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 汽车、 万用表、 电子广告牌、 电子空气净化器、 B超机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：2SK3476(TE12L,Q
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子罗盘、 人脸识别设备、 电磁炉、 音响设备、 电动自行车控制器、 逻辑分析仪、 电动车充电器、 汽车 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SSM3K35MFV(TPL3) | High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications |
| 2SK3476(TE12L,Q | MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A |
| SSM3K345R,LF | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F |
| T2N7002AK,LM | MOSFET N-CH 60V 0.2A |
| SSM3J334R,LF(T | VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS |
| TPH3R70APL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8 |
| SSM3K37FS,LF | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3K35AMFV,L3F | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA |
| SSM3K37MFV,L3F | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3J328R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
