SSM3J328R,LF(T是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子书阅读器、 冰箱、 虚拟现实头盔、 模拟信号处理器（ASP）、 现场可编程门阵列（FPGA） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SSM3J328R,LF(T
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子搅拌器、 机械硬盘、 电子词典、 汽车、 电视机、 LED显示器、 示波器、 音响系统 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| 2SK3878 | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65 |
| SSM3J46CTB(TPL3) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3J132TU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3 |
| SSM3K123TU,LF | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3 |
| SSM3J356R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA |
| SSM3J332R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
| SSM3J56MFV,L3F(T | Load Switching Applications |
| TPHR9003NL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8 |
| SSM3J332R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA |
| SSM3K15AFS,LF | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA |
