SSM6J511NU,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 数字信号处理器（DSP）、 电子加湿器、 直流电源、 话筒（麦克风）、 电动车 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SSM6J511NU,LF
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能家居控制器、 电子驱蚊器、 LCD显示屏、 电子除湿机、 烟雾报警器、 微波炉、 红外感应器、 门禁系统 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SSM3J332R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
| SSM3J338R,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F |
| SSM3K37MFV,L3F | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| TPHR9003NL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8 |
| SSM3J332R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA |
| SSM6J511NU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP |
| SSM3K324R,LF(T | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F |
| SSM6N56FE,LM | VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS |
| SSM6N35FE,LM | High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications |
| SSM3K35AMFV,L3F | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA |
