SSM6J511NU_LF_Toshiba_东芝_UDFN6B_2X2MM_EP_MOSFETs

Name: SSM6J511NU_LF_Toshiba_东芝_UDFN6B_2X2MM_EP_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM6J511NU,LF 型号参数

SSM6J511NU,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数码相机、电子书阅读器、电子湿度计、电子签到系统、信号发生器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如手机充电器、固态硬盘、摄像机、显卡、烟雾报警器、气体报警器、不间断电源（UPS）、无线网卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3K123TU,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A

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