UMW 1N65G_UMW_友台_SOT-223-3_MOSFETs

UMW 1N65G 型号参数

UMW 1N65G是品牌UMW友台，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子手表、耳机、投影仪、电子门锁、电子净水器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
AO4805	双 P 沟道 MOSFET VDS=30V ID=8A PD=2W
FDN335N	N沟道20-V（D-S）MOSFET ID=1.7A PD=1W SOT23
AO3400A	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W
AO4443	-40V P 沟道增强型 MOSFET SOP8 ID=20A PD=37.5W
UMW SI2306A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.5A Pd=1.25W SOT23
SI2310A	MOS 管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=1.38W SOT23
UMW 5N65F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=5A RDS(ON)=2Ω@10V TO220F
AO4466	N 沟道 MOSFET
UMW AO3400A	N通道增强模式
IRLML2502	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.25W SOT-23

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