US1D_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管

Name: US1D_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管
Brand: MDD

US1D 型号参数

US1D是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如话筒（麦克风）、遥控器、直流电源、电子阅读器、游戏机，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如智能插座、智能手环、笔记本电脑、无人机、电路板、扫地机器人、人脸识别设备、电子美容仪等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
US2MB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
FR107	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
US1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
US1D	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
ES3DC	封装:SMC(DO-214AB)
US2M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
US3MC	封装:SMC 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
HER207	封装:DO-15 正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@800V
RS1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
US1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A

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