UTM6016G-SO8-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 模拟信号处理器（ASP）、 USB闪存盘、 集成电路板、 电子书阅读器、 射频连接器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：UTM6016G-SO8-R
- 品牌：友顺(UTC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子罗盘、 录像机、 心电图仪、 热水器、 电源供应器、 吉他效果器、 显卡、 摄像机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| UTD408L-TN3-R | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252 |
| 7NM65G-TN3-R | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W |
| 12N80L-TF2-T | N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F |
| UT4421G-SO8-R | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W |
| 2N7002G-AE2-R | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA Pd=200mW SOT23 |
| UF630G-TN3-R | 200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2 |
| UT2955G-AA3-R | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W |
| 2N60L-TN3-R | MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=2A RDS(ON)=5Ω@10V TO252 |
| 1N60L-T92-K | N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W |
| 15N10L-TN3-R | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14.7A 功率(Pd)：37.4W |
