UTM6016G-SO8-R_UTC_友顺_SOP8_150MIL_MOSFETs

Name: UTM6016G-SO8-R_UTC_友顺_SOP8_150MIL_MOSFETs
Brand: UTC

UTM6016G-SO8-R 型号参数

UTM6016G-SO8-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如稳压电源、蓝牙耳机、电子净水器、音响系统、触摸屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子加湿器、单片机、逻辑分析仪、音响系统、电子血压计袖带、电子体温计探头、声卡、电子榨汁机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
UF630G-TN3-R	200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2
2N60L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=2A RDS(ON)=5Ω@10V TO252
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
UT2955G-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W
UF640L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
UT4421G-SO8-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W
15N10L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14.7A 功率(Pd)：37.4W
1N60L-T92-K	N沟道漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W
UTM6016G-SO8-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8

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