WNM3018-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-323_MOSFETs

Name: WNM3018-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-323_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM3018-3/TR 型号参数

WNM3018-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如耳机、复印机、机械硬盘、心电图仪、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如红外感应器、心电图仪、电子白板、 OLED显示屏、游戏机、功放设备、 LED照明灯、电子计算器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WNM6001-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA
WPM1485-6/TR	单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET
WNM2077-3/TR	功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723
WPM2081-3/TR	单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23
WNM3013-3/TR	MOSFET SOT723 N-Channel ID=250mA
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW

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