WNM3018-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 遥控器、 可编程逻辑控制器（PLC）、 智能手机、 变压器、 X光机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WNM3018-3/TR
- 品牌：韦尔(WILLSEMI)
- 分类：MOSFETs
- 参数：小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 血糖仪、 游戏机、 交流电源、 机器人、 摄像头、 电子琴、 电子计算器、 饮水机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WPM1485-6/TR | 单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET |
| WNM3008-3/TR | 单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET |
| WPT2N32-6/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W |
| WNM3019-3/TR | 小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET |
| WPM2081-3/TR | 单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23 |
| WNM2077-3/TR | 功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723 |
| WPM2015-3/TR | 功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L |
| WNM6001-3/TR | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA |
| WNM2020-3/TR | 功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道 |
| WNM3018-3/TR | 小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET |
