Name: WNM3018-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-323_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM3018-3/TR 型号参数

WNM3018-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子手表、电子门锁、笔记本电脑、饮水机、交换机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子书阅读器、电子气压计、电子门禁卡、安防摄像头、微波炉、投影仪、电子加湿器、智能手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
WNM2046C-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WPM2081-3/TR	单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM2016-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW