WSD2018DN22_WINSOK_微硕_DFN6_2X2MM_EP_MOSFETs

Name: WSD2018DN22_WINSOK_微硕_DFN6_2X2MM_EP_MOSFETs
Brand: WINSOK

WSD2018DN22 型号参数

WSD2018DN22是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如门禁系统、移动硬盘、电子搅拌器、交换机、电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子体温计探头、电动自行车控制器、复印机、红外感应器、电饭煲、电子烤箱温度计、扫描仪、 MP4播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WSP4953	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=90mΩ@10V SOP8_150MIL
WST2337A	P沟道漏源电压(Vdss)：15V 连续漏极电流(Id)：4.8A 功率(Pd)：1.4W
WST2304	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6.3A RDS(ON)=25mΩ@4.5V SOT23N
WSC40N06	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：53W
WST2305	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.4A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOT23N
WSF30P06	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：23.5A 功率(Pd)：30W
WST2005	MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.6A
WSF4012	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：30/-20A
WSD4050DN	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=9.5mΩ@10V
WSR10N65F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：39W

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