WSD80120DN56_WINSOK_微硕_DFN8_5X6MM_MOSFETs

Name: WSD80120DN56_WINSOK_微硕_DFN8_5X6MM_MOSFETs
Brand: WINSOK

WSD80120DN56 型号参数

WSD80120DN56是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子体重秤、网络适配器、逻辑分析仪、红外感应器、电动车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子血压手环、电子手表、固态硬盘、 MP4播放器、 GPS定位器、电路板、摩托车、声卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WST6401	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：0.7W
WST6066A	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.1A RDS(ON)=110mΩ@4.5V SOT23-3
WSG02N20	MOSFET SOT223 N-Channel ID=2A
WSD3060DN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=5.7mΩ@10V
WST3423	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.9A RDS(ON)=130mΩ@4.5V SOT23N
WSP4620	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8.8A,8.6A RDS(ON)=24mΩ,32mΩ@10V SOP8_150MIL
WSF45P06	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=40mΩ@10V TO252
WSF20N20G	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：104W
WSF3055	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：18.9W
WSD100N06GDN56	MOSFETs DFN8_5X6MM_EP ID=100A VDS=60V

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