WSF6012_WINSOK_微硕_TO252-4_MOSFETs

WSF6012 型号参数

WSF6012是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扫描仪、触摸屏、蓝牙耳机、电动自行车控制器、音频功率放大器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：WSF6012
品牌：微硕(WINSOK)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=20A,15A RDS(ON)=37mΩ,60mΩ@10V TO252-4

MOSFETs可应用场景，如电动自行车充电器、智能音箱、 USB闪存盘、智能插座、红外感应器、电子脱毛器、电子阅读器、显卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WSD3810DN	MOSFETs DFN8_3X3MM_EP ID=18A VDS=30V
WSF20N20G	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：104W
WSC5N20A	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=5A RDS(ON)=600mΩ@10V
WSC40N06	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：53W
WSD4050DN	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=9.5mΩ@10V
WSD20L50DN	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=50A RDS(ON)=11mΩ@4.5V
WSD40P10DN56	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：54W
WSP4410	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=20A RDS(ON)=5.5mΩ@10V
WSD2098DN	2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=9.7A P=1W 2通路
WSF3055	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：18.9W

型号相关

热门型号