AP9997GK是品牌APEC富鼎，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 光纤连接器、 手机、 显卡、 GPS定位器、 智能安防摄像头 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：AP9997GK
- 品牌：富鼎(APEC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：2.8W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 录像机、 万用表、 安防摄像头、 指纹识别器、 打印机、 3D打印机、 电子净水器、 电子琴 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| AP2P053N | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.25W |
| AP9977GH | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=11A RDS(ON)=100mΩ@10V TO252 |
| AP2306GN | N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=5.3A SOT23 |
| AP2301GN | p通道增强模式 VDS=20V VGS=±12V ID=2.6A SOT23 |
| AP2328GN-HF | N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±20V ID=4A |
| AP15P10GH-HF | P通道增强模式 |
| AP83T03GH | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：60W |
| AP9997GK | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：2.8W |
| AP2315GEN | P沟道增强型功率MOSFET SOT23S VDS=30V VGS=±16V ID=0.84A |
| AP2310GN | SOT23 1.38W |
