K4B4G1646E-BMMA是品牌SAMSUNG三星半导体，研发制造的DDR SDRAM产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子搅拌器、 数字信号处理器（DSP）、 机械硬盘、 无人机、 B超机 ，DDR SDRAM与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：K4B4G1646E-BMMA
- 品牌：三星半导体(SAMSUNG)
- 分类：DDR SDRAM
- 参数：封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3L 时钟频率(fc):933MHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.28V~1.45V
应用场景
DDR SDRAM可应用场景，如 音频功率放大器、 直流电源、 烟雾报警器、 调制解调器、 空调、 电子咖啡机、 心电图仪、 网卡 等，想要了解更多DDR SDRAM相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| K4B2G1646F-BYMA | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3L 时钟频率(fc):933MHz 存储容量:2Gbit 工作电压:1.283V~1.45V |
| K4AAG165WA-BCWE | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.6GHz 存储容量:16Gbit 工作电压:1.2V |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 封装:FBGA-200 存储器构架(格式):SDRAMSLPDDR4 时钟频率(fc):1.867GHz 存储容量:16Gbit 工作电压:1.7V~1.9V |
| K4A8G165WB-BCRC | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.333GHz 存储容量:8Gbit 工作电压:1.14V~1.26V |
| K4A4G165WE-BCRC | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.2GHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.14V~1.26V |
| K4UCE3Q4AB-MGCL | 封装:FBGA-200(15x10) 存储器构架(格式):SDRAMLPDDR4X 时钟频率(fc):2.133GHz 存储容量:64Gbit 工作电压:1.7V~1.95V |
| K4A8G165WC-BCTD | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.333GHz 存储容量:8Gbit 工作电压:1.14V~1.26V |
| K4B4G1646E-BMMA | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3L 时钟频率(fc):933MHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.28V~1.45V |
| K4RAH165VB-BCQK | 封装:- 存储器构架(格式):SDRAMDDR5 时钟频率(fc):2.4GHz 存储容量:16Gbit 工作电压:1.7V~1.9V |
| K4B4G1646E-BYMA | 封装:FBGA-96(7.5x13.3) 存储器构架(格式):SDRAMDDR3L 时钟频率(fc):933MHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.28V~1.45V |
