NCE6020AI是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 显卡、 指纹识别器、 电子榨汁机、 音频线材、 安防监控系统 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE6020AI
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电饭煲、 调音台、 不间断电源（UPS）、 电子琴、 耳机、 示波器、 电子血压计、 电子广告牌 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3420 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE9926 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W |
| NCEP035N85GU | NCEP035N85GU |
| NCEP0114AS | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL |
| NCE60P25K | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W |
| NCE0110AK | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
| NCEP60T20 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L |
| NCE3050 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE65T540K | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W |
| NCE40P70K | P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2 |
