NCE60ND18G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能手机、 LED照明灯、 电子血压计、 遥控器、 电子血压手环 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60ND18G
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 MP4播放器、 电子罗盘、 固态硬盘、 数字信号处理器（DSP）、 遥控器、 电磁炉、 热水器、 无人机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE2312 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3416 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP60T20 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L |
| NCE60P82AK | MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L |
| NCE2060K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP60T12AK | MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2 |
| NCE60P12K | P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2 |
| NCE65T260 | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W |
| NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP023N10T | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247 |
