NCE65T1K2F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 整流器、 电子体重秤、 音频功率放大器、 音频线材、 电子广告牌 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE65T1K2F
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子词典、 电子湿度计、 电子厨房计时器、 集成电路板、 电动车充电器、 现场可编程门阵列（FPGA）、 专用集成电路（ASIC）、 无人机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE4009S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W |
| NCEP023N10T | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247 |
| NCE9926 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE6020AK | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W |
| NCE4012S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE2312 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP60T20 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L |
| NCE40P70K | P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2 |
| NCE01ND03S | 双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W |
