NTR2101P是品牌SK台湾时科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 烤箱、 电子榨汁机、 逆变器、 MRI扫描仪、 复印机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NTR2101P
- 品牌：台湾时科(SK)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道增强型MOSFET
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 微波炉、 电子阅读器、 MP3播放器、 交流电源、 触摸屏、 电子手表、 安防摄像头、 电子按摩器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| 2N7002 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.43A 功率(Pd)：0.83W |
| SK3407 | SOT23-3 P-Channel ±20V 30V 30V 4.1A |
| NTR2101P | P沟道增强型MOSFET |
| SKML2803 | SOT23 N-Channel ±10Ｖ20V 2A 30mΩ 1W -55~150℃ |
| SK3415 | P沟道 漏源电压(Vdss)：25V 连续漏极电流(Id)：4.2A |
| SK340P | SOT-23 ±10V -20V -2A 150mΩ |
| SK3400 | MOSFETs N-Channe VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A SC59 |
| SK2306 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.6A 功率(Pd)：1.7W |
| SK302P | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=2.4A SOT23 |
| SK2301A | P沟道 漏源电压(Vdss)：16V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@4.5V |
