WNM2016A-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子助听器、 单片机、 数字信号处理器（DSP）、 逻辑分析仪、 电子温度计 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WNM2016A-3/TR
- 品牌：韦尔(WILLSEMI)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能手环、 LED照明灯、 OLED显示屏、 耳机、 电动自行车、 电磁炉、 洗衣机、 电子阅读器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WPM2081-3/TR | 单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23 |
| WPM3401-3/TR | MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4.6A |
| WPM1485-6/TR | 单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET |
| WPT2N32-6/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W |
| WPM2019-3/TR | 功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道 |
| WPM2341-3/TR | MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23 |
| WNM3018-3/TR | 小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET |
| WPM2341A-3/TR | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W |
| WNM2077-3/TR | 功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723 |
| WNM6001-3/TR | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA |
