WPM3021-8/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 3D打印机、 电动自行车控制器、 电子咖啡机、 CT扫描仪、 打印机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WPM3021-8/TR
- 品牌：韦尔(WILLSEMI)
- 分类：MOSFETs
- 参数：WPM3021-8/TR
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子体重秤、 集成电路板、 射频连接器、 移动硬盘、 游戏机、 电子血压计、 电子灭蚊灯、 空调 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WNM4153-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW |
| WNM2016A-3/TR | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A |
| WPM2081-3/TR | 单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23 |
| WPM1485-6/TR | 单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET |
| WPM2015-3/TR | 功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L |
| WPM2019-3/TR | 功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道 |
| WNM2046C-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW |
| WNM4006-3/TR | 单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET |
| WNM2020-3/TR | 功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道 |
| WPT2N32-6/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W |
