12P10L-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: 12P10L-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: UTC

12P10L-TN3-R 型号参数

12P10L-TN3-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吉他效果器、红外感应器、现场可编程门阵列（FPGA）、电子搅拌器、显卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子驱蚊器、心电图仪、电子搅拌器、空调、电子灭蚊灯、电视机、 MP4播放器、智能插座等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
UT4421G-SO8-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W
UT9435HG-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：2.5W
UF640L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
12N80L-TF2-T	N沟道漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F
UT9564G-SO8-R	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±25V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOP8
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
UTD408L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252
15N10L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14.7A 功率(Pd)：37.4W
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
UT2305G-AE3-R	MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.2A Pd=830mW SOT23

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