2N7002W_MSKSEMI_美森科_SOT-323-3_MOSFETs

2N7002W 型号参数

2N7002W是品牌MSKSEMI美森科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微处理器、电子手表、无线网卡、音频功率放大器、智能手表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
WPM2341-MS	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L
WPM3407-MS	SOT23-3 VDS:30V Id:4.1A
SI2309CDS-T1-MS	类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V;
AO3402	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:4A SOT-23-3L
AO4882-MS	2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W
AO3400MI-MS	N沟道 SOT23 VDS:30V Id:5.8A PD=350mW
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
SI2301AI-MS	P沟道 VDS=20V ID=3A PD=1W SOT23
2N7002W
FDC5614P	P沟道漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流(Id) ：3A SOT23-6

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