AO3400MI-MS是品牌MSKSEMI美森科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 门禁系统、 电子计算器、 显卡、 GPS定位器、 音响设备 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：AO3400MI-MS
- 品牌：美森科(MSKSEMI)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 SOT23 VDS:30V Id:5.8A PD=350mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能家居控制器、 电子罗盘、 3D打印机、 录像机、 逆变器、 电子搅拌器、 摩托车、 遥控器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SI2309CDS-T1-MS | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V; |
| FDV303N | |
| WPM3407-MS | SOT23-3 VDS:30V Id:4.1A |
| WPM2341-MS | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L |
| 2N7002K | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23 |
| AO4882-MS | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W |
| AO3415AI-MS | P沟道 20V 4A |
| 2SK3019-MS | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW SOT523 |
| AO3402 | MOSFETs N沟道 耐压:30V 电流:4A SOT-23-3L |
| 2N7002W | |
