2N7002是品牌LGE鲁光，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能家居控制器、 微处理器、 复印机、 专用集成电路（ASIC）、 示波器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：2N7002
- 品牌：鲁光(LGE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 安防摄像头、 智能安防摄像头、 调制解调器、 耳机、 智能家居控制系统、 MP3播放器、 电动车充电器、 GPS定位器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| 2N7002 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA |
| AO3400 | N沟道（D-S）MOSFET 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 77pF@15V N Channel 623pF@15V 9.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 |
| AO3401 | P通道30V（D-S）MOSFET ID=4.2V PD=1.2W SOT23 |
