2V7002LT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电动车充电器、 智能安防摄像头、 电子脱毛器、 扬声器、 计算机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：2V7002LT1G
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 虚拟现实头盔、 逻辑分析仪、 冰箱、 电子门禁卡、 电子助听器、 电子罗盘、 心电图仪、 台式电脑主机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NVH4L020N120SC1 | TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247 |
| FQD13N10LTM | 表面贴装型 N 通道 100 V 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） TO-252AA |
| MMBF170LT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23 |
| FDPF18N50 | 通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3 |
| NTS4001NT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70 |
| 2N7002KW | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=310mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SC70-3 |
| NTK3134NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA |
| FDN304P | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.4A RDS(ON)=52mΩ@4.5V SOT23-3 |
| FDD8424H | MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4 |
| FDD8896 | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252 |
