7NM65G-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: 7NM65G-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: UTC

7NM65G-TN3-R 型号参数

7NM65G-TN3-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子白板、智能手环、机器人、安防监控系统、智能插座，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如无人机、热水器、指纹识别器、手机、电子按摩器、吉他效果器、 MRI扫描仪、 LED照明灯等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
UT2305G-AE3-R	MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.2A Pd=830mW SOT23
2N7002G-AE2-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA Pd=200mW SOT23
UT9564G-SO8-R	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±25V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOP8
2N60L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=2A RDS(ON)=5Ω@10V TO252
UTD408L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252
UTM6016G-SO8-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252
7NM65G-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
12N80L-TF2-T	N沟道漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F
UF630G-TN3-R	200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2

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