AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs

Name: AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs
Brand: ALLPOWER

AP2012S 型号参数

AP2012S是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如内存条、汽车电子控制系统、电子门禁卡、心电图仪、整流器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如调制解调器、机械硬盘、电子搅拌器、调音台、逆变器、电子广告牌、汽车、视频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
APG095N01K	MOSFETs TO-252 N-Channel Single
AP2012S	N沟道漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
AP4580	2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd)：1.4W
AP3400	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A
AP3908QD	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
AP15N10K	MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=100V VGS=±20V ID=14.6V
AP6007S	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W
AP2316	N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A
AP3404	N沟道功率 MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±20V ID=5.8A
AP4407C	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.7W

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