AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs

Name: AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs
Brand: ALLPOWER

AP2012S 型号参数

AP2012S是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如录像机、 MP3播放器、打印机、汽车、饮水机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子驱蚊器、固态硬盘、交换机、心电图仪、音响系统、调制解调器、智能手表、电动工具等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP4008QD	2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
AP3908GD	一个N沟道一个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：32W
AP15P03Q	P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-12A 功率(Pd)：900mW
AP3910GD	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：35W
APG095N01K	MOSFETs TO-252 N-Channel Single
AP2316	N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A
AP30P30Q	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：1.5W
AP4085G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：27.8W
AP4580	2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd)：1.4W
AP2N7002	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A

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