BLM3407_Belling_上海贝岭_SOT-23_MOSFETs

BLM3407 型号参数

BLM3407是品牌Belling上海贝岭，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动车、吉他效果器、射频连接器、音频线材、稳压电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：BLM3407
品牌：上海贝岭(Belling)
分类：MOSFETs
参数：沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

MOSFETs可应用场景，如手机、 MRI扫描仪、 GPS定位器、人脸识别设备、微处理器、电动自行车、网络适配器、汽车电子控制系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
BLM2301	P沟道增强型功率MOSFET VDS=20V，VGS=±12V ID=3A SOT23
BLM3401	P沟道增强型功率MOSFET VDS=30V VGS=±20V ID=4.2A P=1.2W SOT23
AP8205A	类型：N+N通道 20V
BLM4953	P沟道增强型功率MOSFET SOP8 VGS=±12V VDS=30V，ID=5.1A
BLM2302	N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VGS=±10V VDS=20V，ID=2.9A
BLM2305	P沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=20V ID=4.1A VGS=±12V
BLM8205A	N沟道 VDS=19.5V VGS=±10V ID=6A P=1.5W
BLM3400	N沟道增强型功率MOSFET VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.4W SOT23
BLM3407	沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

型号相关

热门型号