GS1M_MDD_辰达半导体_SMA(DO-214AC)_二极管

Name: GS1M_MDD_辰达半导体_SMA(DO-214AC)_二极管
Brand: MDD

GS1M 型号参数

GS1M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放器、手机、智能手机、功放设备、 CT扫描仪，二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

二极管可应用场景，如电动车充电器、整流器、电动自行车充电器、显卡、平板电脑、扫描仪、数字信号处理器（DSP）、计算机等，想要了解更多二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
ES2DB	封装：SMB/DO-214AA 参数：VR=1000V IF=3A VF=1.1V IR=5uA
10A10	整流二极管 VR=1000V IF=10A VF=1.0V IR=5uA
ES1D	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
1N4148W	封装:SOD-123 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.5V@300mA 直流反向耐压(Vr):100V 整流电流:300mA
SL1545	封装:TO-277 正向压降(Vf):480mV@15A 直流反向耐压(Vr):45V 整流电流:15A 反向电流(Ir):100uA@45V
SS12	封装：SMA/DO-214AC 参数：VR=50V IF=1A VF=1.1V IR=5uA
SK104C	封装:SMC(DO-214AB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):650mV@10A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:10A
ES2DB	封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
SMBJ7.0CA	封装：SMB/DO-214AA 参数：PD=1500W，VRM=15V，VBR=16.7～18.5V，VC=24.4V
ES2J	封装：SMA/DO-214AC 参数：VR=60V IF=1A VF=0.70V IR=500uA

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