GS1M_MDD_辰达半导体_SMA(DO-214AC)_二极管

Name: GS1M_MDD_辰达半导体_SMA(DO-214AC)_二极管
Brand: MDD

GS1M 型号参数

GS1M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如打印机、电源供应器、 GPS定位器、音响系统、安防摄像头，二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

二极管可应用场景，如红外感应器、 B超机、电子书阅读器、直流电源、万用表、功放器、电动自行车、手机充电器等，想要了解更多二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MBR10100CT	肖特基二极管 VR=100V IF=10A VF=0.85V IR=1000uA
SS54C	封装:SMC(DO-214AB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):550mV@5A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:5A
SS34	封装：SMA/DO-214AC 参数：VR=40V IF=1A VF=0.55V IR=500uA
BZT52C27	封装:SOD-123 二极管配置:独立式稳压值(标称值):27V 反向电流(Ir):100nA@21V 稳压值(范围):25.1V~28.9V
SS510	封装：SMA参数：VRM=600V，IO=0.8A，IFSM=30A，VF=1.0V，IR=5uA
1SMA4739A	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式稳压值(标称值):9.1V 反向电流(Ir):10uA@7V 稳压值(范围):8.6V~9.59V
GS1M	封装：SMAG/DO-214AC 参数：PD=400W，VRM=33V，VBR=36.7～40.6V，VC=53.3V
SMF30A	封装：SOD-123FL 参数：VR=60V IF=10A VF=0.85V IR=1000uA
GBLC03C	封装：SOD-323参数：300W 4V 双向ESD管Bi PD=300W VRWM=3V VBR=4V VC=13.9V IPP=8A IR=2uA CJ=0.8PF个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
US1M	封装：SMA/DO-214AC 参数：VR=1000V IF=1A VF=1.1V IR=5uA

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