RS1G是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子门禁卡、 交流电源、 电动工具、 显卡、 电动自行车充电器 ，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：RS1G
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：快恢复/高效率二极管
- 参数：封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
应用场景
快恢复/高效率二极管可应用场景，如 固态硬盘、 内存条、 实验室离心机、 电子体重秤、 电子除湿机、 调音台、 汽车电子控制系统、 电子血压计 等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| FR107 | 封装:DO-41 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
| MUR460 | 封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.25V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@600V |
| FR307 | 封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
| RS1M | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A |
| ES1J | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A |
| US3MC | 封装:SMC 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.68V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A |
| ES2J | 封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.68V@2A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:2A |
| FR207 | 封装:DO-15 正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
| US2MB | 封装:SMB 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.65V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A |
| ES3DC | 封装:SMC(DO-214AB) |
