ES1J是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电动自行车、 投影仪、 计算机、 触摸屏、 专用集成电路（ASIC） ，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：ES1J
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：快恢复/高效率二极管
- 参数：封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A
应用场景
快恢复/高效率二极管可应用场景，如 网卡、 人脸识别设备、 电子体重秤、 扬声器、 数码相机、 智能家居控制器、 电子门锁、 扫地机器人 等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| HER308 | 封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.7V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
| ES3DB | 封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V@3A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:3A |
| US1G | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A |
| US1D | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A |
| RS1G | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A |
| HER207 | 封装:DO-15 正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@800V |
| SOD1F7 | 封装:SOD-123 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A |
| ES2DB | 封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A |
| US1MF | 封装:SMAF 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A |
| RS3MB | 封装:SMB 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A |
