ES2DB是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 射频连接器、 吉他效果器、 打印机、 电子榨汁机、 遥控器 ，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：ES2DB
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：快恢复/高效率二极管
- 参数：封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
应用场景
快恢复/高效率二极管可应用场景，如 逆变器、 MRI扫描仪、 安防摄像头、 电子搅拌器、 万用表、 血糖仪、 音频线材、 音响设备 等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| ES3DC | 封装:SMC(DO-214AB) |
| US3MC | 封装:SMC 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.68V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A |
| MUR460 | 封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.25V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@600V |
| FR307 | 封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
| HER308 | 封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.7V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
| RS1MF | 封装:SMAF 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A |
| ES2DB | 封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A |
| ES1J | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A |
| RS1G | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A |
| FR207 | 封装:DO-15 正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
