GS1M_MDD_辰达半导体_SMA(DO-214AC)_二极管

GS1M 型号参数

GS1M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扫描仪、功放设备、音频功率放大器、不间断电源（UPS）、电子计算器，二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SS24B	封装：SMB/DO-214AA 参数：VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
KBL608	封装：KBL 参数：VR=400V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=50nS
GBLC05C	封装：SOD-323 参数：PD=200W，VRM=36V，VBR=40～44.2V，VC=58.1V
RS3MB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
SS510	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):850mV@5A 直流反向耐压(Vr):100V 整流电流:5A
SS28	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):850mV@2A 直流反向耐压(Vr):80V 整流电流:2A
1N4007G	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
SD103AWS	封装：SOD-323 参数：VR=1000V IF=1A VF=1.1V IR=5uA
1SMA4746A	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式稳压值(标称值):18V 反向电流(Ir):5uA@13V 稳压值(范围):16.8V~19.2V
1N5819	封装:DO-41 正向压降(Vf):600mV@1A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:1A 反向电流(Ir):500uA@40V

型号相关

热门型号