K4F6E3S4HM-MGCJ_SAMSUNG_三星半导体_FBGA200_DDR SDRAM
K4F6E3S4HM-MGCJ 型号参数
K4F6E3S4HM-MGCJ是品牌SAMSUNG三星半导体，研发制造的DDR SDRAM产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 扬声器、 电子空气净化器、 逻辑分析仪、 安防摄像头、 3D打印机 ，DDR SDRAM与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：K4F6E3S4HM-MGCJ
- 品牌：三星半导体(SAMSUNG)
- 分类：DDR SDRAM
- 参数：封装:FBGA-200 存储器构架(格式):SDRAMSLPDDR4 时钟频率(fc):1.867GHz 存储容量:16Gbit 工作电压:1.7V~1.9V
应用场景
DDR SDRAM可应用场景，如 交换机、 电子广告牌、 固态硬盘、 智能手环、 光纤连接器、 OLED显示屏、 智能安防摄像头、 显卡 等，想要了解更多DDR SDRAM相关内容知识，可以关注我们。
选型表
