KIA50N03BD_KIA_可易亚_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

KIA50N03BD 型号参数

KIA50N03BD是品牌KIA可易亚，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手表、无线网卡、不间断电源（UPS）、平板电脑、频谱分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
KNH9130A	N沟道漏源电压(Vdss)：300V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：150W
KIA6035AD	11A, 350V N-沟道 MOSFET TO252-3
KNY3403B	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：71W
KIA50N03BD	50A 30V K N-沟道 MOSFET TO252-3
KIA840SB	N沟道漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：100W TO263-3
KIA50N06BD	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V
KIA3510AD	75A，100V N-沟道 MOSFET
KIA3400	4.8A，30V N-沟道 MOSFET
KNB2710A	100V 160A 333W 5mΩ@10V,25A 4V@250uA N Channel TO263-3 MOSFETs ROHS
KND3306B	60V 80A 84.5W 8.5mΩ@10V,40A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS

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