KIA50N03BD是品牌KIA可易亚，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 心电图仪、 万用表、 整流器、 电子计算器、 智能手机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：KIA50N03BD
- 品牌：可易亚(KIA)
- 分类：MOSFETs
- 参数：50A 30V K N-沟道 MOSFET TO252-3
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 手机、 吉他效果器、 扫地机器人、 逻辑分析仪、 电子脱毛器、 声卡、 笔记本电脑、 电子厨房计时器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| KNH9130A | N沟道 漏源电压(Vdss)：300V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：150W |
| KIA3400 | 4.8A，30V N-沟道 MOSFET |
| KND3306B | 60V 80A 84.5W 8.5mΩ@10V,40A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS |
| KNB2710A | 100V 160A 333W 5mΩ@10V,25A 4V@250uA N Channel TO263-3 MOSFETs ROHS |
| KIA840SB | N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：100W TO263-3 |
| KIA6035AD | 11A, 350V N-沟道 MOSFET TO252-3 |
| KIA50N06BD | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V |
| KIA3401 | -4.0A，-30V P-沟道 MOSFET SOT23 |
| KIA50N03BD | 50A 30V K N-沟道 MOSFET TO252-3 |
| KNY3403B | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：71W |
