M24C16-RDW6TP_ST_意法半导体_TSSOP8_EEPROM

Name: M24C16-RDW6TP_ST_意法半导体_TSSOP8_EEPROM
Brand: ST

M24C16-RDW6TP 型号参数

M24C16-RDW6TP是品牌ST意法半导体，研发制造的EEPROM产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如稳压电源、音频信号处理器、电动自行车充电器、摄像头、内存条，EEPROM与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

EEPROM可应用场景，如电子温度计、智能手机、吸尘器、手机充电器、电动工具、不间断电源（UPS）、电子秤、游戏机等，想要了解更多EEPROM相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
M34E04-FMC9TG	封装:DFN-8(2x3) 存储容量:4Kbit 工作电压:1.7V~3.6V 写周期时间(Tw):5ms 数据保留-TDR(年):200年
M24128-BRDW6TP	封装:TSSOP-8 接口类型:I2C 存储容量:128Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms
M95512-RMN6TP	封装:SOIC-8 接口类型:SPI 存储容量:512Kbit 时钟频率(fc):16MHz 工作电压:1.8V~5.5V
M24512-RMN6TP	封装:SOIC-8 接口类型:I2C 存储容量:512Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms
M24M01-DFMN6TP	封装:SO-8 接口类型:I2C 存储容量:1Mbit 时钟频率(fc):1MHz 工作电压:1.7V~5.5V
M24C02-FMN6TP	封装:SOIC-8 接口类型:I2C 存储容量:2Kbit 工作电压:1.7V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms
M93C56-WMN6TP	封装:SOIC-8 存储容量:2Kbit 工作电压:2.5V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms 数据保留-TDR(年):200年
M24C64-RMN6P	封装:SOIC-8 接口类型:I2C 存储容量:64Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms
M24256-BRMN6P	封装:SOIC-8 接口类型:I2C 存储容量:256Kbit 时钟频率(fc):1MHz 工作电压:1.8V~5.5V
M24C08-WMN6P	封装:SO-8 接口类型:I2C 存储容量:8Kbit 工作电压:2.5V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms

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