MEM2302_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: MEM2302_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

MEM2302 型号参数

MEM2302是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如气体报警器、电源供应器、手机、固态硬盘、智能手表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 OLED显示屏、电源供应器、音响系统、不间断电源（UPS）、饮水机、录像机、人脸识别设备、 MP3播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
ZXMN6A11DN8TA-VB	MOSFETs 双N沟道耐压:60V 电流:7A SO-8
FDN306P-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:20V 电流:5A SOT-23
AO4801	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SFT1350.-VB	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=15mΩ@4.5V TO252
CEM4435A	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VBZA4953A	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5A RDS(ON)=48mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
FQPF13N50CF-VB	MOSFETs N沟道耐压:550V TO-220F
VBI1322	MOS管 N-channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
RU30L30M-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP

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