MMBF170LT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: MMBF170LT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

MMBF170LT1G 型号参数

MMBF170LT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、电子脱毛器、电子空气净化器、 GPS定位器、万用表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如固态硬盘、电子驱蚊器、电动车、智能手环、电子美容仪、电子厨房计时器、打印机、电子广告牌等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NDS351AN	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:1.4A SOT23-3
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDB075N15A	表面贴装型 N 通道 150 V 130A（Tc） 333W（Tc） D²PAK（TO-263）
MGSF1N03LT1G	表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
FDN304P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.4A RDS(ON)=52mΩ@4.5V SOT23-3
FDS4435BZ	MOSFETs SOIC8_150MIL P沟道 VDDS=30V ID=8.8A
NTMFS5C430NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=200A RDS(ON)=2.2mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
BSS138LT1G	SOT23 225mW
NVD5117PLT4G-VF01	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=61A RDS(ON)=16mΩ@10V TO252
NDS352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=900mA RDS(ON)=500mΩ@4.5V SOT23-3

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