MT29F2G08ABAEAWP-IT:E_micron_镁光_TSOPI48_NAND FLASH

Name: MT29F2G08ABAEAWP-IT:E_micron_镁光_TSOPI48_NAND FLASH
Brand: micron

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 型号参数

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E是品牌micron镁光，研发制造的NAND FLASH产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如机器人、微波炉、冰箱、电子计算器、电子脱毛器，NAND FLASH与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

NAND FLASH可应用场景，如电子阅读器、吸尘器、人脸识别设备、射频连接器、智能家居控制系统、智能门锁、电子计算器、无人机等，想要了解更多NAND FLASH相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT	封装:VFBGA-168(12x12)
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E	封装:TSOPI-48 存储容量:1Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us
MT29F2G08ABAEAWP:E	封装:TSOPI-48 存储容量:2Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us
MT29F4G08ABADAWP:D	封装:TSOPI-48 存储容量:4Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F	封装:UPDFN-8 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):220us
MT29F1G08ABAEAWP:E	封装:TSOPI-48 存储容量:1Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E	封装:TFSOP-48-18.4mm 存储容量:4Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):45ns 页写入时间(TPP):300us
MTFC16GAPALBH-IT TR	封装:TFBGA-153(11.5x13)
MT29F8G08ABACAWP-IT:C	封装:TSOPI-48 存储容量:8Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E	封装:TSOPI-48 存储容量:2Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):20ns 页写入时间(TPP):200us

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