Name: MUN5311DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管
Brand: ON

MUN5311DW1T1G 型号参数

MUN5311DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如信号发生器、摩托车、平板电脑、直流电源、光纤连接器，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

带预偏置三极管可应用场景，如电子书阅读器、触摸屏、机械硬盘、电子门禁卡、计算机、调制解调器、电动车、电子签到系统等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MUN5330DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2112LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=60 P=400mW SOT23
MUN5335DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN5235DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2211LT1G	晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW SOT23
DTC124XET1G	数字晶体管（BRT）R1=22 KΩ，R2=22 KΩ具有单片偏置电阻网络的PNP晶体管
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2133LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MMUN2114LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23