Name: MUN5214DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管
Brand: ON

MUN5214DW1T1G 型号参数

MUN5214DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如信号发生器、实验室离心机、不间断电源（UPS）、电子灭蚊灯、显示器，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

带预偏置三极管可应用场景，如智能家居控制器、现场可编程门阵列（FPGA）、调制解调器、交换机、功放设备、路由器、网络适配器、 MRI扫描仪等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MUN5311DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2232LT1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MMUN2111LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=400mW SOT23
MUN2211T1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=230mW SC59
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2132LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=15 P=400mW SOT23
MUN5235DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2114LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
DTC114EET1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=300mW SOT416
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V